3．纳米线在储能器件中的研究方向展望图12纳米线在储能器件中的研究方向展望3.1反应机理的进一步探索积极揭示纳米线用于储能的内部机理，通信统包括离子嵌入/脱出、通信统电子转移、材料应变、反应电位以及界面接触等，具有十分重要的意义。
在两个电荷密度差异图中观察到的显著的离域，光缆表明在配位的C或N原子与单个Ni原子之间存在强相互作用和显著的电荷转移。对电配位环境（左下）：空位导致的不饱和配位（左）与结构导致的不饱和配位（右）。
力系（E）对于Sn(S)/Au（正方形）和Sn纳米颗粒/Au（圆形）的ECR的法拉第效率和电流密度与电位的关系（经iR校正）。（F，影响G）吸附在Cu-CeO2上的CO2分子，其中（F）两个和（G）三个氧空位分别聚集在Cu位点周围。（B）SnSx的部分还原导致了Sn(S)膜的生成，通信统促进ECR产生甲酸盐。
光缆来自（PDF00-058-0898）.cif的Fh-FeOOH（蓝线）的模拟EXAFS信号。对电该综述首先简要介绍了ECR及其最新进展。
（C）HCOO*（黄色），力系COOH*（灰色）和H*（蓝色）中间体的吉布斯自由能形成（DG形成），它们分别是生成甲酸盐，CO和H2的中间体。
影响富含VO的Co3O4单晶胞层的表征。通信统【图文导读】图1（a）poly(Ni-C2S4)化学结构。
光缆（e）分子间硫-硫相互作用网络。对电其中,poly(Ni-C2S4),poly(Ni-C2Se4)和poly(Pd-C2S4)展现出优良的热电功率因子（~103 μWm-1 K-2）。
力系（c）poly(Ni-C2S4)能带结构和投影态密度。影响（b）poly(Ni-C2S4)单链结构。
